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长鑫自主内存芯片投产 国内DRAM产业迎来重大突破

12 月 5 日讯,在近日召开的 2019 天下制造业大年夜会上,总投资约 1500 亿元的长鑫存储内存芯片自立制造项目发布投产,其与国际主流 DRAM 产品同步的 10 纳米级第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期设计产能每月 12 万片晶圆。

这是海内芯片领域的一个重大年夜冲破。在此之前,紫光自行研发架构的 64 层 NAND 闪存也问世,据称与天下大年夜厂三星、美光、SK 海力士也只有两年的技巧层级。

好消息接连发出,显示出海内财产的重大年夜冲破。

要知道,2018 年举世 DRAM 市场中,三星、SK 海力士、美光举世市占率合计为 95%(数据滥觞 DRAM exchange),合肥长鑫的 DRAM 的投产,标志在这一尖端领域的多年垄断中,来了一其中国介入者。

长鑫储存技巧(Changxin Memory Technologies,简称 CXMT,前身为合肥睿力集成电路(Innotron Memory,又称合肥长鑫))。2016 年在安徽省合肥市政府等的支持下成立,是海内三家国家计谋级存储芯片公司之一,其和福建晋华、长江存储被合称为中国制造 2025 计划的 3 大年夜半导体财产国家队。

DRAM 晶片认真临时存储数据,其颠末不合设计后被广泛利用在条记本电脑、智妙手机、资猜中间办事器、联网汽车等数以亿计的智能装配上。因为对技巧要求对照高,今朝举世 95%以上的市占率被韩国三星电子、韩国 SK 海力士、美国美光科技三家企业所盘踞。我国本土企业之前虽也能够临盆可供家电设备等应用的廉价通俗晶片,却不停未掌握临盆 DRAM 晶片等高端半导体的相关技巧。

近年来,合肥长鑫公司为了临盆可利用于移动设备上的 DRAM 晶片,进行了代价人夷易近币 550 亿元的资金投资来实现建厂。长鑫今年的本钱支出将达 10 亿至 15 亿美元,已逾越举世第四大年夜 DRAM 制造商南亚科技去年的 6.5 亿美元支出。如今本钱投资取得回报,据相关报道,我国本土企业长鑫存储计划将于年内开始量产动态随机存取影象体(DRAM),其有望于今岁尾至 2020 年头?年月实现量产。

据悉,长鑫储存的 DRAM 设计主要基于德国晶片厂商英飞凌旗下 DRAM 大年夜厂奇梦达(Qimonda,该公司已于 2009 年破产)技巧。但今朝天下顶尖半导体厂商临盆中仍需用到美国设备、质料及成套的电子设计自动化对象,很难完全避开。对此长鑫也未能避免,今朝该公司仍需应用美国设备大年夜厂(如 Applied Materials、Lam Research 及 KLA-Tencor)和电子设计自动化(EDA)对象供应商(如 Cadence 及 Synopsys)产品来实现临盆晶片,也需靠 Dow Chemical 供给质料。不过长鑫存储正从新设计自有的 DRAM,以使其让临盆历程中应用到的美国技巧最小化,避免侵权和成为美国科技界袭击的工具。

现今,长鑫正在合肥斥资 80 亿美元打造一座 DRAM 晶片制造厂,估计今岁尾前投产这些关键的存储体零件,最初每月估计可临盆约 1 万片晶圆,虽不够举世产量的 1%,但对还没有今朝本土还未有克己 DRAM 晶片的我国来说,成功量产便是迈出了科技自主的一大年夜步。长鑫存储如若岁尾成功实现量产,可谓意义重大年夜,将成为我国首家未来有望和三星电子、美光科技和 SK 海力士三大年夜 DRAM 巨头一较高下的本土企业。要知道,去年举世 DRAM 市场总代价达 996.5 亿美元,然而三星电子(韩国)、SK 海力士(韩国)、美光科技(美国)等三大年夜厂却盘踞举世 95%产量。

DRAM 今朝我国已将半导体财产定位为国家重点扶持财产。2018 年本土半导体类芯片海内自给率为 15%阁下,我国目标是到 2020 年将自给率前进至 40%,到 2025 年前进至 70%。

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